Tower Semiconductor объявляет о революционной технологии ADAS LIDAR

Обновление: 14 сентября 2021 г.

Башня Полупроводниковое объявляет о прорывной технологии ADAS LIDAR

Tower Semiconductor объявляет о революционной технологии ADAS LIDAR

Башня Полупроводниковое объявила о том, что она называет прорывной разработкой в ​​области LiDAR IC technology для усовершенствованных систем помощи водителю (ADAS).

Микросхема была разработана исследователями из отдела электротехники и вычислительной техники Мин Се инженерной школы Университета Калифорнии в Витерби под руководством Сунгвона Чанга и изготовлена ​​с использованием платформы Silicon Photonics открытого литейного производства Tower Semiconductor.

В ИС используются оптические фазированные решетки - сотни компактных оптических антенн - вместе с модуляторами амплитуды и фазы на кремниевом чипе для точного трехмерного изображения окружающей среды без необходимости использования каких-либо движущихся частей.

Кроме того, можно программировать поле зрения, разрешение, шаблон сканирования и скорость сканирования, так что автомобили, оснащенные этой системой, могут намного лучше реагировать на реальные сценарии.

Платформа PH18 Silicon Photonics компании Tower Semiconductor предлагает ряд оптических компонентов, включая модуляторы со сверхвысокой полосой пропускания и фотодетекторы. Эта платформа также предлагает высокопроизводительные элементы, необходимые для высокоточных LiDAR-приложений, такие как волноводы из нитрида кремния с низкими потерями, способные работать с большей оптической мощностью.

LiDAR IC, работающий на длине волны 1550 нм, удобной для человеческого глаза, использует непрерывную частотную модуляцию (FMCW), что делает ее более устойчивой к яркости окружающей среды и помехам от других LiDAR в очень загруженной среде вождения.