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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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FZ1200R12KF4
Categoria de nuestros producto: Módulos IGBT
Fabricante: Infineon
RoHS: No
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Doble
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1200 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 2.7 V
Corriente continua del colector a 25 C: 1200 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 na
Pd - Disipación de energía: 7.8 kW
Paquete / Estuche: IHM130
Temperatura máxima de funcionamiento: + 125C
Marca: Infineon Technologies
Alto 38 mm
Eslora: 140 mm
Voltaje máximo del emisor de puerta: +/- 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: SMD / SMT
Cantidad de paquete de fábrica: 2
Ancho 130 mm
Módulos IGBT 1200V 1200A SINGLE
Shunlongwei inspeccionó todos los FZ1200R12KF4 antes del envío, todos los FZ1200R12KF4 con 6 meses de garantía.