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Courriel: sales@shunlongwei.com
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FZ1200R12KF4
Catégorie de produits: Modules IGBT
Fabricant: Infineon
RoHS: Non
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Double
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 2.7 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 1200
Courant de fuite porte-émetteur: 400 na
Pd - Dissipation de puissance: 7.8kW
Paquet / Cas: IHM130
Température de fonctionnement maximale: + 125°C
Marque: Infineon Technologies
La taille: 38 mm
Longueur: 140 mm
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: SMD / SMT
Quantité de paquet d'usine: 2
Largeur: 130 mm
Modules IGBT 1200V 1200A SINGLE
Shunlongwei inspecté chaque FZ1200R12KF4 avant l'expédition, tous les FZ1200R12KF4 avec une garantie de 6 mois.