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Email: sales@shunlongwei.com
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FZ1200R12KF4
Categoria de Produto: Módulos IGBT
Fabricante: Infineon
RoHS: Não
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Dual
Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 2.7 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 1200 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 7.8 kW
Pacote / Caso: IHM130
Temperatura operacional máxima: + 125ºC
marca: Infineon Technologies
Altura: 38 mm
Comprimento: 140 mm
Tensão máxima do emissor da porta: +/- 20 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: SMD / SMT
Quantidade do pacote de fábrica: 2
Largura: 130 mm
Módulos IGBT 1200V 1200A ÚNICO
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