Se presentan los primeros productos de la nueva línea de obleas de 8 pulgadas de Manchester de Nexperia
Nexperia ha anunciado que los primeros productos que se fabricarán en la nueva línea de obleas de 8 pulgadas de la compañía en Manchester, Reino Unido, serán de bajo RDS (encendido), bajo Qrr 80 V y 100 V mosfets usando su último silicio NextPower la tecnología.
La nueva línea de producción ampliará la capacidad de Nexperia con efecto inmediato, y los nuevos dispositivos PSMN3R9-100YSF (100 V) y PSMN3R5-80YSF (80 V) contarán con el Q más bajo de la industria.rr Figura de mérito (RDS (activado) xQrr).
Al comentar sobre el anuncio, Mike Becker, gerente de producto de Nexperia, dijo: “Con la escasez global de semiconductores, las inversiones realizadas por Nexperia para aumentar la capacidad en sus sitios de fabricación globales, incluidos Manchester y Filipinas, donde se producen estos MOSFET, serán muy bien recibidas. novedades para los compradores. Los diseñadores también estarán entusiasmados con el rendimiento de los nuevos MOSFET. Se adaptan muy bien a muchas aplicaciones de conmutación y son opciones genuinas de segunda fuente para los productos de otros proveedores ".
Los MOSFET de silicio NextPower de 80 V y 100 V mejoran significativamente la RDS (activado) desde 7 mΩ para piezas de 100 V de la generación anterior hasta solo 4.3 mΩ para los nuevos dispositivos, lo que se traduce en una mayor eficiencia. La tecnología NextPower también ofrece el mejor bajo Q de su claserr de 44 nC para la parte de 100 V, lo que reduce los picos y las emisiones EMI. En general, la Qrr La figura de mérito para la parte de 100 V es un 61% más baja en promedio que los dispositivos de la competencia.
Los MOSFET de 80 V y 100 V están disponibles en el paquete de tecnología de clip de cobre LFPAK56E de alto rendimiento térmico y eléctrico de Nexperia. Los dispositivos son adecuados para una amplia gama de aplicaciones de conmutación, incluidas CA / CC, CC / CC y control de motores.