Các sản phẩm đầu tiên từ dòng bánh wafer Manchester 8 inch mới của Nexperia được công bố
Nexperia đã thông báo rằng các sản phẩm đầu tiên được sản xuất trong dòng wafer 8 inch mới của công ty ở Manchester, Vương quốc Anh, sẽ có RDS (bật) thấp, Qrr 80 V và 100 V thấp. mosfet sử dụng silicon NextPower mới nhất của nó công nghệ.
Dây chuyền sản xuất mới sẽ mở rộng công suất của Nexperia ngay lập tức và các thiết bị PSMN3R9-100YSF (100 V) và PSMN3R5-80YSF (80 V) mới sẽ có mức Q thấp nhất trong ngànhrr Hình Bằng khen (RDS (trên) xQrr).
Bình luận về thông báo Mike Becker, giám đốc sản phẩm của Nexperia, cho biết: “Với sự thiếu hụt toàn cầu về chất bán dẫn, các khoản đầu tư của Nexperia để tăng công suất trên khắp các địa điểm sản xuất toàn cầu của mình, bao gồm Manchester và Philippines, nơi sản xuất các MOSFET này, sẽ rất được hoan nghênh tin tức cho người mua. Các nhà thiết kế cũng sẽ phấn khích trước hiệu suất của MOSFETs mới. Chúng rất phù hợp với nhiều ứng dụng chuyển đổi và là lựa chọn nguồn thứ hai chính hãng cho các sản phẩm của các nhà cung cấp khác ”.
MOSFET silicon NextPower 80 V và 100 V cải thiện đáng kể RDS (trên) từ 7 mΩ cho các bộ phận 100 V thế hệ trước xuống chỉ còn 4.3 mΩ cho các thiết bị mới, giúp tăng hiệu suất. Công nghệ NextPower cũng cung cấp Q thấp nhất trong phân khúcrr 44 nC cho phần 100 V giúp giảm lượng khí thải EMI và tăng đột biến. Nhìn chung, Qrr Hình bằng khen cho phần 100 V thấp hơn trung bình 61% so với các thiết bị cạnh tranh.
MOSFET 80 V và 100 V có sẵn trong gói công nghệ kẹp đồng LFPAK56E hiệu suất cao về nhiệt và điện của Nexperia. Thiết bị phù hợp với một loạt các ứng dụng chuyển mạch bao gồm AC / DC, DC / DC và điều khiển động cơ.