Lançados os primeiros produtos da nova linha de wafer Manchester de 8 polegadas da Nexperia
A Nexperia anunciou que os primeiros produtos a serem feitos na nova linha de wafer de 8 polegadas da empresa em Manchester, Reino Unido, serão de baixo RDS (on), baixo Qrr 80 V e 100 V mosfet usando seu mais recente silício NextPower tecnologia.
A nova linha de produção expandirá a capacidade da Nexperia com efeito imediato, e os novos dispositivos PSMN3R9-100YSF (100 V) e PSMN3R5-80YSF (80 V) apresentarão o menor Q da indústriarr Figura de Mérito (RDS (ligado) xQrr).
Comentando sobre o anúncio, Mike Becker, gerente de produto da Nexperia, disse: “Com a escassez global de semicondutores, os investimentos feitos pela Nexperia para aumentar a capacidade em suas fábricas globais, incluindo Manchester e Filipinas, onde esses MOSFETs são produzidos, serão muito bem-vindos notícias para os compradores. Os designers também ficarão entusiasmados com o desempenho dos novos MOSFETs. Eles são muito adequados para muitas aplicações de comutação e são opções genuínas de segunda fonte para produtos de outros fornecedores. ”
Os MOSFETs de silício NextPower 80 V e 100 V melhoram significativamente o RDS (ligado) de 7 mΩ para peças de 100 V da geração anterior até apenas 4.3 mΩ para os novos dispositivos, resultando em maior eficiência. A tecnologia NextPower também oferece o melhor Q baixo da classerr de 44 nC para a parte de 100 V que reduz picos e emissões EMI. No geral, o Qrr A Figura de Mérito para a peça de 100 V é 61% menor, em média, do que os dispositivos concorrentes.
Os MOSFETs de 80 V e 100 V estão disponíveis no pacote de tecnologia de clipe de cobre LFPAK56E de alto desempenho térmico e elétrico da Nexperia. Os dispositivos são adequados para uma ampla gama de aplicações de chaveamento, incluindo AC / DC, DC / DC e controle de motor.