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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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BSM35GD120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: Módulos IGBT
RoHS: No
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Individual
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1200 V
Corriente continua del colector a 25 C: 550 A
Pd - Disipación de energía: 2700 W
Paquete / Estuche: 62 mm
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Voltaje máximo del emisor de puerta: +/- 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: Tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
6IGBT: 35A1200V; Módulos IGBT 1200V 400A SINGLE
Shunlongwei inspeccionó todos los BSM35GD120DN2 antes del envío, todos los BSM35GD120DN2 con 6 meses de garantía.