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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM35GD120DN2
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: Modules IGBT
RoHS: Non
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Simple
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 550
Pd - Dissipation de puissance: 2700 W
Paquet / Cas: 62 mm
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
6IGBT: 35A1200V; Modules IGBT 1200V 400A SINGLE
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