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Email: sales@shunlongwei.com
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Categoría de producto: Módulos IGBT
Fabricante: Infineon
RoHS: SÍ
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Dual
Colector- Emisor voltaje VCEO Máx .: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 3.2 V
Corriente continua de colector a 25 C: 225 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Pd - Disipación de energía: 1.25 kW
Paquete / Caja: 62 mm
Temperatura máxima de funcionamiento: + 125 C
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.5 mm
Longitud: 106.4 mm
Emisor de puerta máximo voltaje: +/- 20V
Temperatura mínima de funcionamiento: - 40 C
Estilo de montaje: tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
Ancho: 61.4 mm