#FF150R12KS4 Infineon FF150R12KS4 Nieuw IGBT Modules 1200V 150A DUAL, FF150R12KS4 foto's, FF150R12KS4 prijs, #FF150R12KS4 leverancier
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Productcategorie:IGBT-modules
Fabrikant: Infineon
RoHS: JA
Product: IGBT-siliciummodules
Configuratie: Dual
Collector-zender spanning VCEO-max.: 1200 V
Verzamelaar-emitterverzadiging spanning: 3.2 V
Continue collectorstroom bij 25 C: 225 A.
Gate-Emitter Lekstroom: 400 nA
Pd - Vermogensverlies: 1.25 kW
Verpakking / doos: 62 mm
Maximale bedrijfstemperatuur: + 125 C
Merk: Infineon Technologies
Hoogte: 30.5 mm
Lengte: 106.4 mm
Maximale Gate Emitter spanning: +/- 20 V
Minimale bedrijfstemperatuur: - 40 ° C
Montagestijl: schroef
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 10
Breedte: 61.4 mm