#FF150R12KS4 Infineon FF150R12KS4 ใหม่ IGBT โมดูล 1200V 150A DUAL ภาพ FF150R12KS4 ราคา FF150R12KS4 # ผู้จัดจำหน่าย FF150R12KS4
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
หมวดหมู่สินค้า:โมดูล IGBT
ผู้ผลิต: Infineon
RoHS: ใช่
สินค้า: IGBT Silicon Modules
การกำหนดค่า: คู่
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: 1200 V.
ความอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ แรงดันไฟฟ้า: 3.2 V
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C: 225 A
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 400 nA
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 1.25 กิโลวัตต์
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: 62 มม
อุณหภูมิในการใช้งานสูงสุด: + 125 C
แบรนด์: Infineon Technologies
ความสูง: 30.5 mm
ความยาว: 106.4 mm
ตัวปล่อยประตูสูงสุด แรงดันไฟฟ้า: +/- 20 โวลต์
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ: - 40 C
รูปแบบการติด: สกรู
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
ความกว้าง: 61.4 mm