SAMSUNG K4R761869A-GCT9 Disponible

Actualización: 6 de marzo de 2024 Tags:icla tecnología

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/k4r761869a-gct9.html

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Número de parte del fabricante: K4R761869A-GCT9
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante de Ihs: SAMSUNG Semiconductores INC
Descripción del paquete: FBGA, BGA92,10X18,32
Fabricante: Samsung Semiconductores
Rango de riesgo: 5.81
Tiempo de acceso máximo: 32 ns
Tipo de E / S: COMÚN
Código JESD-30: R-PBGA-B92
Código JESD-609: e1
Densidad de memoria: 603979776 bit
Salud Cerebral IC Tipo: RAMBUS DRAM
Ancho de memoria: 18
Nivel de sensibilidad a la humedad: 3
Número de terminales: 92
Número de palabras: 33554432 palabras
Código de número de palabras: 32000000
Organización: 32MX18
Características de salida: 3 ESTADOS
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Código del paquete: FBGA
Código de equivalencia del paquete: BGA92,10X18,32
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: GRID ARRAY, FINE PITCH
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Fuentes de alimentación: 1.8 / 2.5,2.5 V
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: DRAM
Montaje en superficie: SÍ
Tecnología: CMOS
Acabado del terminal: COBRE DE PLATA DE ESTAÑO
Forma de terminal: BOLA
Paso de terminal: 0.8 mm
Posición terminal: INFERIOR
Horario
DRAM Rambus, 32MX18, 32ns, CMOS, PBGA92