#K4R761869A-GCT9 SAMSUNG K4R761869A-GCT9 Nouvelle DRAM Rambus, 32MX18, 32ns, CMOS, PBGA92, images K4R761869A-GCT9, prix K4R761869A-GCT9, fournisseur #K4R761869A-GCT9
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Numéro de pièce du fabricant : K4R761869A-GCT9
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: SAMSUNG Semi-conducteurs INC
Description de l'emballage : FBGA, BGA92,10X18,32
Fabricant: Samsung Semi-conducteurs
Classement de risque: 5.81
Temps d'accès-max: 32 ns
Type d'E / S: COMMUN
Code JESD-30 : R-PBGA-B92
Code JESD-609: e1
Densité de la mémoire: 603979776 bits
Mémoire IC Type : RAMBUS DRAM
Largeur de mémoire: 18
Niveau de sensibilité à l'humidité: 3
Nombre de terminaux: 92
Nombre de mots: 33554432 mots
Code du nombre de mots: 32000000
Organisation : 32MX18
Caractéristiques de sortie: 3-STATE
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Code de paquet : FBGA
Code d'équivalence de colis : BGA92,10X18,32
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: GRID ARRAY, FINE PITCH
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Sources d'alimentation: 1.8 / 2.5,2.5 V
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : DRAM
Montage en surface: OUI
Technologie:CMOS
Finition terminale: TIN ARGENT CUIVRE
Forme terminale : BALLE
Pas de borne: 0.8 mm
Position du terminal : INFÉRIEURE
Temps
DRAM Rambus, 32MX18, 32ns, CMOS, PBGA92
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: SAMSUNG Semi-conducteurs INC
Description de l'emballage : FBGA, BGA92,10X18,32
Fabricant: Samsung Semi-conducteurs
Classement de risque: 5.81
Temps d'accès-max: 32 ns
Type d'E / S: COMMUN
Code JESD-30 : R-PBGA-B92
Code JESD-609: e1
Densité de la mémoire: 603979776 bits
Mémoire IC Type : RAMBUS DRAM
Largeur de mémoire: 18
Niveau de sensibilité à l'humidité: 3
Nombre de terminaux: 92
Nombre de mots: 33554432 mots
Code du nombre de mots: 32000000
Organisation : 32MX18
Caractéristiques de sortie: 3-STATE
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Code de paquet : FBGA
Code d'équivalence de colis : BGA92,10X18,32
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: GRID ARRAY, FINE PITCH
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Sources d'alimentation: 1.8 / 2.5,2.5 V
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : DRAM
Montage en surface: OUI
Technologie:CMOS
Finition terminale: TIN ARGENT CUIVRE
Forme terminale : BALLE
Pas de borne: 0.8 mm
Position du terminal : INFÉRIEURE
Temps
DRAM Rambus, 32MX18, 32ns, CMOS, PBGA92