SAMSUNG K4R761869A-GCT9 В наличии

#K4R761869A-GCT9 SAMSUNG K4R761869A-GCT9 Новая Rambus DRAM, 32MX18, 32ns, CMOS, PBGA92, фотографии K4R761869A-GCT9, цена K4R761869A-GCT9, #K4R761869A-GCT9 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/k4r761869a-gct9.html

-----------------------

Номер детали производителя: K4R761869A-GCT9
Код без содержания свинца: Да
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: SAMSUNG Полупроводниковое INC
Описание упаковки: FBGA, BGA92,10X18,32
Производитель: Samsung Полупроводниковое
Рейтинг риска: 5.81
Максимальное время доступа: 32 нс
Тип ввода / вывода: ОБЩИЙ
Код JESD-30: R-PBGA-B92.
Код JESD-609: e1.
Плотность памяти: 603979776 бит
Память IC Тип: RAMBUS DRAM
Ширина памяти: 18
Уровень чувствительности к влаге: 3
Количество терминалов: 92
Количество слов: 33554432 слов
Код количества слов: 32000000
Организация: 32MX18
Выходные характеристики: 3 состояния
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Код упаковки: FBGA
Код эквивалентности упаковки: BGA92,10X18,32
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: СЕТКА, ТОНКИЙ ШАГ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Источники питания: 1.8 / 2.5,2.5 В
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: DRAM
Поверхностное крепление: ДА
Технологии: CMOS
Терминальная отделка: Олово СЕРЕБРЯНАЯ МЕДЬ
Форма терминала: ШАР
Шаг клемм: 0.8 мм
Конечное положение: НИЖНИЙ
Время
Rambus DRAM, 32MX18, 32 нс, CMOS, PBGA92