El Fuji 6MBI450UM-170 es un módulo de potencia diseñado para aplicaciones de alta potencia como control de motores, fuentes de alimentación e inversores. Estas son las especificaciones y características clave: Características: Clasificaciones y características máximas:
#PM450CG1C065 Mitsubishi PM450CG1C065 Nuevo MISUBISHI Uso de conmutación de alta potencia tipo aislado VCES 650V / 450 A, #PM450CG1C065 Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/pm450cg1c065.html FEATURE a) Adopting Full-Gate CSTBTTM chip. b) The over-temperature protection which detects the chip surface temperature of CSTBTTM is adopted. c) Error output signal is available from each protection upper and lower arm of IPM. […]
Cadenas de proceso para óptica de sílice fundida: una cadena de proceso convencional; b cadena de proceso láser de CO2; c Método de caracterización de SSD de apertura completa en espacio 3D. Crédito: Luz: Fabricación Avanzada (2023). DOI: 10.37188/lam.2023.021 Los defectos de procesamiento residuales reducen significativamente el umbral de daño inducido por láser (LIDT) de la óptica de sílice fundida, lo que limita seriamente su rendimiento y vida útil en aplicaciones de láser de alta energía. Se han realizado extensas investigaciones […]
El Mitsubishi CM450DX-24T es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) fabricado por Mitsubishi Electric. A continuación se muestran algunas especificaciones e información clave sobre este módulo: Los módulos IGBT como el Mitsubishi CM450DX-24T son componentes esenciales en diversas aplicaciones industriales y electrónicas de alta potencia donde se requiere conmutación y control eficientes de altas corrientes y voltajes.
Módulo IGBT Fuji 6MBI450VM-170-50: Liberación de capacidades avanzadas Descubra el módulo IGBT Fuji 6MBI450VM-170-50, una potencia de rendimiento y eficiencia diseñada para sus diversas necesidades eléctricas. Características clave que lo distinguen: Aplicaciones que se benefician: Clasificaciones máximas y características esenciales: Experimente el poder de Fuji: El módulo IGBT 6MBI450VM-170-50 de Fuji ofrece capacidades incomparables para […]
Características clave de FF450R12KT4: Maravillas eléctricas: Destreza mecánica: Clasificación y características máximas (Tc=25 °C a menos que se especifique):
El Mitsubishi PM450CG1C065 es un módulo de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia diseñado y fabricado por Mitsubishi Electric Corporation. Encuentra aplicaciones en diversos sistemas de conversión de energía, aplicaciones de control de motores y otros sistemas electrónicos de alta potencia. Estas son las características y especificaciones clave de este módulo: PM450CG1C065 Características: a) Chip CSTBTTM de puerta completa: el módulo utiliza una puerta completa […]
El módulo de alimentación IGBT STARPOWER GD450HFT120C2S-GB es reconocido por sus capacidades excepcionales, ya que ofrece pérdidas de conducción mínimas y una notable robustez ante cortocircuitos. Este módulo está meticulosamente diseñado para atender diversas aplicaciones, particularmente aquellas que requieren un alto rendimiento, como inversores generales y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS). Características Aplicaciones típicas Clasificaciones máximas absolutas (a TC = 25 ° C a menos que se especifique […]
El FUJI 6RI75G-160 es un módulo semiconductor de potencia diseñado para aplicaciones industriales de alta potencia. Estas son las especificaciones y características clave de este módulo: Características del módulo: Funciones de protección incorporadas: Número de pieza del fabricante: 6RI75G-160 Descripción del paquete: R-XUFM-X5 Número de pines: 5 Fabricante: Fuji Electric Co Ltd Conexión de la caja: Configuración aislada : Puente, diodo de 6 elementos Material del elemento: diodo de silicio […]