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MG100Q2YS1 Descripción
MG100Q2YS1 es el mejor IGBT GTR Módulo para amplificar el rendimiento de su aplicación de conmutación de alta potencia. Fabricado por Toshiba, es un IGBT de canal N de silicio que pesa un peso ligero de 0.98 libras. con un emisor colector voltaje de 1200 V y una corriente de colector de 100 A.
MG100Q2YS1 tiene características especiales que pueden transformar una aplicación de conmutación de alta potencia de baja calidad en un dispositivo gigante. Una de estas características es su alta impedancia de entrada. Esto significa que su impedancia eléctrica es más rápida en comparación con otros módulos.
Dos características destacadas de este dispositivo son su bajo voltaje de saturación y el modo de mejora. El voltaje de saturación bajo indica que este dispositivo solo requiere menos voltaje cuando se utiliza en condiciones de saturación. El modo de mejora, por otro lado, es el que lo hace confiable y duradero de usar, ya sea que se opere en operaciones ligeras o pesadas.
Alta eficiencia, durabilidad y rentabilidad son beneficios que puede obtener una vez que use MG100Q2YS1.
MG100Q2YS1 0.98 libras
Aplicaciones_objetivo
MG100Q2YS1 podría usarse en aplicaciones de conmutación de alta potencia Aplicaciones de control de motores
Caracteristicas
Toshiba Semiconductores [Módulo GTR Silicio N Canal IGBT Aplicaciones de conmutación de alta potencia Aplicaciones de control de motores]
IGBT: 100A1200V
Shunlongwei inspeccionó todos los MG100Q2YS1 antes del envío, todos los MG100Q2YS1 con 6 meses de garantía.