-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Deskripsi MG100Q2YS1
MG100Q2YS1 adalah IGBT GTR terbaik Modul untuk memperkuat kinerja aplikasi peralihan daya tinggi Anda. Diproduksi oleh Toshiba, ini adalah IGBT saluran Silicon N yang berbobot ringan 0.98 lbs. dengan emitor kolektor tegangan dari 1200V dan jumlah arus kolektor 100A.
MG100Q2YS1 memiliki fitur khusus yang dapat mengubah aplikasi switching daya tinggi berkualitas rendah menjadi perangkat raksasa. Salah satu fitur ini adalah impedansi masukannya yang tinggi. Ini berarti impedansi listriknya lebih cepat dibandingkan dengan modul lain.
Dua fitur menonjol dari perangkat ini adalah tegangan saturasi rendah dan mode peningkatannya. Tegangan saturasi rendah menunjukkan bahwa perangkat ini hanya membutuhkan lebih sedikit tegangan saat digunakan dalam kondisi saturasi. Mode peningkatan, di sisi lain, adalah salah satu yang membuatnya andal dan tahan lama untuk digunakan baik dioperasikan pada operasi ringan atau berat.
Efisiensi tinggi, daya tahan, dan hemat biaya adalah manfaat yang bisa Anda peroleh setelah menggunakan MG100Q2YS1.
MG100Q2YS1 0.98 lbs
Target_Aplikasi
MG100Q2YS1 dapat digunakan dalam Aplikasi Kontrol Motor Aplikasi Pengalihan Daya Tinggi
Fitur
Toshiba Semikonduktor [Modul GTR Silicon N Channel IGBT Aplikasi Pengalihan Daya Tinggi Aplikasi Kontrol Motor]
IGBT: 100A1200V
Shunlongwei Diperiksa Setiap MG100Q2YS1 Sebelum Dikirim, Semua MG100Q2YS1 dengan garansi 6 bulan.