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Descrição MG100Q2YS1
MG100Q2YS1 é o melhor IGBT GTR Módulo para amplificar o desempenho da sua aplicação de comutação de alta potência. Fabricado pela Toshiba, é um IGBT de canal Silicon N que pesa leve 0.98 libras. com emissor coletor Voltagem de 1200 V e uma quantidade de corrente do coletor de 100A.
MG100Q2YS1 possui recursos especiais que podem transformar um aplicativo de comutação de alta potência de baixa qualidade em um dispositivo colossal. Um desses recursos é sua alta impedância de entrada. Isso significa que sua impedância elétrica é mais rápida em comparação com outros módulos.
Dois recursos de destaque deste dispositivo são a voltagem de baixa saturação e o modo de aprimoramento. A baixa tensão de saturação indica que este dispositivo requer menos tensão apenas quando utilizado em condições de saturação. O modo de aprimoramento, por outro lado, é o que o torna confiável e durável para uso, seja operando em operações leves ou pesadas.
Alta eficiência, durabilidade e economia são benefícios que você pode obter ao usar o MG100Q2YS1.
MG100Q2YS1 0.98 lbs
Alvo_Aplicativos
MG100Q2YS1 pode ser usado em Aplicações de Comutação de Alta Potência Aplicações de Controle de Motor
Funcionalidades
Toshiba Semicondutores [Módulo GTR Silício N Canal IGBT Aplicações de comutação de alta potência Aplicações de controle de motor]
IGBT: 100A1200V
Shunlongwei inspecionado todos os MG100Q2YS1 antes do envio, todos os MG100Q2YS1 com 6 meses de garantia.