ZXT12P20DXTC
#ZXT12P20DXTC Diodes Inc ZXT12P20DXTC Nouveau ZXT12P20DXTC bipolaire à petit signal Transistor, 2.5AI(C), 20V V(BR)PDG, 2 éléments, PNP, silicium, MO-187AA, MO-187, SUPERSOT4, MSOP-8 ; ZXT12P20DXTC, photos ZXT12P20DXTC, prix ZXT12P20DXTC, fournisseur #ZXT12P20DXTC
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Numéro de pièce du fabricant : ZXT12P20DXTC
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: DIODES INC
Code d'emballage de la pièce : TSSOP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, S-PDSO-G8
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Diodes Incorporated
Classement de risque: 5.83
Courant-max du collecteur (IC): 2.5 Un
Collecteur-émetteur Tension-Max: 20 V
Configuration: SÉPARÉ, 2 ÉLÉMENTS
Gain de courant CC-Min (hFE): 50
Code JEDEC-95 : MO-187AA
Code JESD-30 : S-PDSO-G8
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 8
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de paquet: CARRÉ
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité/Type de canal : PNP
Dissipation de puissance-Max (Abs): 1.25 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Autres transistors
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Transistor Application : COMMUTATION
Matériau de l'élément de transistor: SILICIUM
Fréquence-Nom de transition (fT): 110 MHz
Transistor bipolaire à petit signal, 2.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2 éléments, PNP, silicium, MO-187AA, MO-187, SUPERSOT4, MSOP-8
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: DIODES INC
Code d'emballage de la pièce : TSSOP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, S-PDSO-G8
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Diodes Incorporated
Classement de risque: 5.83
Courant-max du collecteur (IC): 2.5 Un
Collecteur-émetteur Tension-Max: 20 V
Configuration: SÉPARÉ, 2 ÉLÉMENTS
Gain de courant CC-Min (hFE): 50
Code JEDEC-95 : MO-187AA
Code JESD-30 : S-PDSO-G8
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 8
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de paquet: CARRÉ
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité/Type de canal : PNP
Dissipation de puissance-Max (Abs): 1.25 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Autres transistors
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Transistor Application : COMMUTATION
Matériau de l'élément de transistor: SILICIUM
Fréquence-Nom de transition (fT): 110 MHz
Transistor bipolaire à petit signal, 2.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2 éléments, PNP, silicium, MO-187AA, MO-187, SUPERSOT4, MSOP-8