ZXT12P20DXTC
#ZXT12P20DXTC Điốt Inc ZXT12P20DXTC Mới ZXT12P20DXTC Lưỡng cực tín hiệu nhỏ Transistor, 2.5AI (C), 20V V (BR) CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MO-187AA, MO-187, SUPERSOT4, MSOP-8; ZXT12P20DXTC, hình ảnh ZXT12P20DXTC, giá ZXT12P20DXTC, nhà cung cấp # ZXT12P20DXTC
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: ZXT12P20DXTC
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: DIODES INC
Mã phần gói: TSSOP
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8
Số lượng pin: 8
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Diodes Incorporated
Xếp hạng rủi ro: 5.83
Bộ sưu tập hiện tại-Max (IC): 2.5 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 20 V
Cấu hình: RIÊNG, 2 PHẦN TỬ
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 50
Mã JEDEC-95: MO-187AA
Mã JESD-30: S-PDSO-G8
Số phần tử: 2
Số lượng thiết bị đầu cuối: 8
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: SQUARE
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: PNP
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 1.25 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Bóng bán dẫn khác
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Transistor Ứng dụng: CHUYỂN ĐỔI
Vật liệu phần tử bóng bán dẫn: SILICON
Tần số chuyển đổi-Nom (fT): 110 MHz
Transistor lưỡng cực tín hiệu nhỏ, 2.5A I (C), 20V V (BR) CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MO-187AA, MO-187, SUPERSOT4, MSOP-8
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: DIODES INC
Mã phần gói: TSSOP
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8
Số lượng pin: 8
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Diodes Incorporated
Xếp hạng rủi ro: 5.83
Bộ sưu tập hiện tại-Max (IC): 2.5 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 20 V
Cấu hình: RIÊNG, 2 PHẦN TỬ
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 50
Mã JEDEC-95: MO-187AA
Mã JESD-30: S-PDSO-G8
Số phần tử: 2
Số lượng thiết bị đầu cuối: 8
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: SQUARE
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: PNP
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 1.25 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Bóng bán dẫn khác
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Transistor Ứng dụng: CHUYỂN ĐỔI
Vật liệu phần tử bóng bán dẫn: SILICON
Tần số chuyển đổi-Nom (fT): 110 MHz
Transistor lưỡng cực tín hiệu nhỏ, 2.5A I (C), 20V V (BR) CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MO-187AA, MO-187, SUPERSOT4, MSOP-8