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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM100GB120DLCK
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: IGBT Modules de silicium
Configuration: Double
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.1 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 205
Courant de fuite porte-émetteur: 400 na
Température de fonctionnement maximale: + 125°C
Paquet / Cas: 34MM
Paquet: Plateau
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Pd - Dissipation de puissance: 835 W
Quantité de paquet d'usine: 500
Modules IGBT 1200V 100A DUAL
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