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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM100GB120DLCK
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: IGBT Módulos
RoHS: SIM
marca: Infineon Technologies
Produto: IGBT Módulos de Silício
Configuração: Dual
Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.1 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 205 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 400 nA
Temperatura operacional máxima: + 125ºC
Pacote / Caso: 34MM
Embalagem: Bandeja
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: Parafuso
Pd - Dissipação de energia: 835 W
Quantidade do pacote de fábrica: 500
Módulos IGBT 1200V 100A DUAL
Shunlongwei inspecionado todos os BSM100GB120DLCK antes do envio, todos os BSM100GB120DLCK com 6 meses de garantia.