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Courriel: sales@shunlongwei.com
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FS50R12KT3
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
Produit: IGBT Modules de silicium
Configuration: Hex
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 75
Température de fonctionnement maximale: + 125°C
Paquet / Cas: Écono 2
Paquet: Plateau
Marque: Infineon Technologies
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
IGBT Modules N-CH 1.2KV 75A
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