#BSM75GD120DN2 Infineon BSM75GD120DN2 Nouveau 75A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT Modules 1200V 75A triphasé, images BSM3GD75DN120, prix BSM2GD75DN120, fournisseur # BSM2GD75DN120
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM75GD120DN2
Fabriquant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: IGBT Modules de silicium
Configuration: hexadécimal
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.5 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 103 A
Courant de fuite porte-émetteur: 320 nA
Température de fonctionnement maximale: + 150 C
Emballage / Caisse : EconoPACK 3A
Émetteur de porte maximum Tension: 20 V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Pd - Dissipation de puissance: 520 W
75A / 1200V / IGBT / 6U; Modules IGBT 1200V 75A 3 PHASE
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