GaN Systems et BMW signent Semi-conducteurs accord de capacité

GaN Systems a signé un accord de capacité complet avec BMW Group pour les transistors de puissance GaN hautes performances de qualité automobile de la société.

Selon les termes de l'accord, GaN Systems doit fournir une capacité pour de multiples applications dans la production en série - des volumes garantis sont essentiels lorsqu'il s'agit de la chaîne d'approvisionnement automobile.

Selon BMW, les semi-conducteurs de puissance de GaN Systems offrent la petite taille, la légèreté et le rendement élevé nécessaires à la prochaine génération de véhicules électriques hautes performances.

« Les véhicules électriques représentent l'avenir du transport, et nous sommes ravis de continuer à soutenir BMW avec notre capacité de conception et de production », a déclaré Jim Witham, PDG de GaN Systems. "Cet accord de 100 millions de dollars démontre l'engagement de BMW envers l'innovation et la durabilité."

BMW a commencé à travailler avec GaN Systems il y a plus de quatre ans lorsqu'elle a commencé à utiliser les chargeurs embarqués, les convertisseurs CC/CC et les onduleurs de traction de l'entreprise. La société de capital-risque de BMW, BMW I Ventures, a ensuite investi dans l'entreprise pour soutenir et accélérer la qualification automobile du GaN. sans souci.

Commentant Kasper Sage, associé directeur de BMW i Ventures, a déclaré : « À mesure que les véhicules électriques deviennent plus importants, la demande de produits critiques semi-conducteur les composants ne feront qu’augmenter, ce qui rend les partenariats stratégiques avec des fournisseurs comme GaN Systems encore plus importants.