GaN Systems e BMW firmano un accordo sulla capacità dei semiconduttori

Aggiornamento: 16 settembre 2021

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GaN Systems e BMW firmano un accordo sulla capacità dei semiconduttori

GaN Systems ha firmato un accordo completo sulla capacità con il BMW Group per i transistor di potenza GaN di livello automobilistico ad alte prestazioni dell'azienda.

Secondo i termini dell'accordo, GaN Systems deve fornire capacità per molteplici applicazioni nella produzione in serie: i volumi garantiti sono essenziali quando si tratta della catena di fornitura automobilistica.

Secondo BMW, i semiconduttori di potenza di GaN Systems forniscono le dimensioni ridotte, leggere e ad alta efficienza richieste nella prossima generazione di veicoli elettrici ad alte prestazioni.

"I veicoli elettrici rappresentano il futuro dei trasporti e siamo lieti di continuare a supportare BMW con la nostra capacità di progettazione e produzione", ha affermato Jim Witham, CEO di GaN Systems. "Questo accordo da 100 milioni di dollari dimostra l'impegno di BMW per l'innovazione e la sostenibilità".

BMW ha iniziato a lavorare con GaN Systems oltre quattro anni fa, quando ha iniziato a utilizzare i caricabatterie di bordo, i convertitori CC/CC e gli inverter di trazione dell'azienda. La società di venture capital di BMW, BMW I Ventures, ha successivamente investito nell'azienda per supportare e accelerare la qualificazione automobilistica del GaN la tecnologia.

Kasper Sage, socio amministratore di BMW i Ventures, ha affermato: “Mentre i veicoli elettrici diventano sempre più importanti, la domanda di servizi critici semiconduttore i componenti non potranno che aumentare, rendendo ancora più importanti le partnership strategiche con fornitori come GaN Systems”.