GaN Systems e BMW assinam acordo de capacidade de semicondutores

Atualização: 16 de setembro de 2021

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GaN Systems e BMW assinam acordo de capacidade de semicondutores

A GaN Systems assinou um acordo abrangente de capacidade com o BMW Group para os transistores de potência GaN de alto desempenho de categoria automotiva da empresa.

De acordo com os termos do contrato, a GaN Systems deve fornecer capacidade para várias aplicações na produção em série - volumes garantidos são essenciais quando se trata da cadeia de suprimentos automotiva.

De acordo com a BMW, os semicondutores de energia da GaN Systems fornecem o tamanho pequeno, a leveza e a alta eficiência exigidas na próxima geração de veículos elétricos de alto desempenho.

“Os veículos elétricos representam o futuro do transporte e temos o prazer de continuar a apoiar a BMW com nosso projeto e capacidade de produção”, disse Jim Witham, CEO da GaN Systems. “Este acordo de US $ 100 milhões demonstra o compromisso da BMW com a inovação e sustentabilidade.”

A BMW começou a trabalhar com a GaN Systems há mais de quatro anos, quando começou a usar os carregadores de bordo, conversores DC / DC e inversores de tração da empresa. A empresa de capital de risco da BMW, BMW I Ventures, posteriormente investiu na empresa para apoiar e acelerar a qualificação automotiva do GaN tecnologia.

Comentando Kasper Sage, sócio-gerente BMW i Ventures disse: “À medida que os veículos elétricos se tornam mais proeminentes, a demanda por veículos críticos Semicondutor componentes só vai aumentar, tornando as parcerias estratégicas com fornecedores como a GaN Systems ainda mais importantes.”