L'objectif de la conférence PowerUP Virtual est d'envisager l'avenir de l'électronique de puissance. L'événement AspenCore est divisé en trois jours : du 7 au 9 décembre. Le premier jour, nous commencerons notre voyage dans plusieurs tutoriels sur les technologies de l'électronique de puissance telles que les semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) et la commande de moteur.
Deux exposés couvriront les principes fondamentaux du GaN et du SiC, et l'un couvrira les aspects de la disposition, de la conception et de la mesure des PCB pour utiliser avec succès le plein potentiel de ces technologies WBG.
Alex Lidow, PDG d'EPC, expliquera les bases du nitrure de gallium et discutera de ses avantages, ainsi que des avantages thermiques et électriques des dispositifs d'alimentation GaN par rapport à leurs prédécesseurs en silicium surannés. Après cela, Victor Veliadis, professeur d'ingénierie électrique et informatique à la North Carolina State University et directeur général et directeur technique de PowerAmerica, passera en revue les avantages des propriétés des matériaux en carbure de silicium, ainsi que les considérations relatives à la fabrication des matériaux et des dispositifs. La présentation se concentrera sur la conception de mosfet, qui sont actuellement utilisés dans la grande majorité des systèmes électroniques de puissance à base de SiC.
Sebastian Fahlbusch, responsable du marketing applicatif, et Sebastian Klötzer, ingénieur d'application principal, tous deux chez Nexperia, animeront ensuite une discussion sur les aspects de conception des technologies SiC et GaN, qui devraient être des acteurs majeurs de la haute technologie.Tension applications dans la mobilité électrique et les énergies renouvelables. La session couvrira les aspects de mise en page, de conception et de mesure des PCB pour une exploitation réussie du plein potentiel de ces technologies. Les sujets abordés seront illustrés par des exemples pratiques et des mesures.
Pour plus d'informations sur les présentations PowerUP du premier jour, veuillez visiter Power Electronics News.
Le 8 décembre (jour 2), nous poursuivrons notre exploration des semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) en examinant les tendances les plus récentes sous divers angles, y compris le développement et l'adoption par le marché.
Victor Veliadis lancera la deuxième journée de notre conférence PowerExpo en nous donnant un aperçu du carbure de silicium sans souci. Nous examinerons les avantages ainsi que les défis auxquels cette nouvelle technologie est désormais confrontée.
Les participants auront l'occasion d'en apprendre davantage sur les dernières percées dans les dispositifs d'alimentation GaN de Robert Kaplar, en mettant l'accent sur la croissance épitaxiale, la conception, le traitement et la caractérisation des dispositifs. Toni Versluijs fournira une étude plus détaillée de l'adoption par le marché du nitrure de gallium, y compris les applications, la technologie et les innovations d'emballage. Avec l'exposé de Filippo Di Giovanni, la conférence se poursuivra pour découvrir les progrès et les défis auxquels les semi-conducteurs à large bande interdite sont actuellement confrontés. Il analysera également de nouveaux concepts d'emballage développés pour s'adapter aux caractéristiques électriques et physiques uniques de ces matériaux avancés.
Pour plus d'informations sur les présentations PowerUP du deuxième jour, veuillez visiter Power Electronics News.