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Présentation du nouveau IGBT (Grille Isolée Bipolaire Transistor) module d'Infineon, le BSM75GD120DN2. Ce module avancé offre des fonctionnalités et des spécifications impressionnantes pour diverses applications à haute puissance. Voici quelques détails clés sur ce module :
Modèle : BSM75GD120DN2
Fabricant : Infineon Technologies
IGBT Type de module : Double IGBT
Collecteur-émetteur maximum Tension (Vces): Typiquement 1200V
Courant de collecteur continu maximum (IC): Typiquement 75A par IGBT
Courant maximal du collecteur de crête (ICP) : généralement 300 A par IGBT
Dissipation de puissance totale (Ptot) : Typiquement 700 W par IGBT
Porte-émetteur Tension (VGE): ±20V
Température de fonctionnement: -40 ° C à + 150 ° C
Poids: Environ 150g
Le module IGBT Infineon BSM75GD120DN2 est conçu pour gérer les applications à haute puissance et à courant élevé. Il se compose de deux IGBT, permettant une plus grande flexibilité dans circuit conception et tenue en puissance. Le module convient à diverses applications industrielles telles que les entraînements de moteur, les convertisseurs de puissance et les systèmes d'énergie renouvelable.