commutation d'applications et dispose de technologies avancées pour un fonctionnement efficace et fiable.
Fabricant: Infineon Les technologies
Numéro de pièce : FZ1000R16KF4
Puissance Module Type : IGBT (Grille Isolée Bipolaire Transistor)
Courant maximal du collecteur (IC) : 1000A
Tension collecteur-émetteur (VCE) : 1600 V
Dissipation de puissance totale (Ptot): 9600W
Tension de crête porte-émetteur (VGES) : +/-20 V
Plage de température : -40 à 150°C
Poids: 800g
Configuration: unique IGBT Puce
Type de paquet : modules
Style de montage: montage à vis
Capacité de traitement haute puissance
Faibles pertes de conduction et de commutation
Efficacité thermique élevée avec une faible résistance thermique
Conçu pour un fonctionnement à haute fréquence
Convient à diverses applications, y compris la commande de moteur, les alimentations et les onduleurs