applicazioni di commutazione e dispone di tecnologie avanzate per un funzionamento efficiente e affidabile.
Produttore: Infineon Tecnologie
Numero parte: FZ1000R16KF4
Potenza Moduli Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolare Transistor)
Corrente massima del collettore (IC): 1000 A
Voltaggio Collettore-Emettitore (VCE): 1600V
Dissipazione di potenza totale (Ptot): 9600 W
Voltaggio di picco gate-emettitore (VGES): +/-20V
Intervallo di temperatura: da -40 a 150°C
Peso: 800g
Configurazione: singola IGBT chip
Tipo di confezione: modulo
Stile di montaggio: montaggio a vite
Capacità di gestione ad alta potenza
Basse perdite di conduzione e di commutazione
Alta efficienza termica con bassa resistenza termica
Progettato per il funzionamento ad alta frequenza
Adatto a varie applicazioni tra cui controllo motore, alimentatori e inverter