#QM50TB-2HB Mitsubishi QM50TB-2HB Nouveau IGBT RENFORCER Transistor MODULE 50A/1000V/GTR/6U, images QM50TB-2HB, prix QM50TB-2HB, fournisseur # QM50TB-2HB
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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IGBT MODULE TRANSISTOR DE PUISSANCE 50A/1000V/GTR/6U QM50TB-2HB
• ic Courant du capteur …………………… .. 50A
• Collecteur-émetteur VCEX Tension ……… 1000V
• Gain courant continu hFE ……………………… .. 750
Tension de base de l'émetteur 7V
Courant de collecteur 50A
Courant inverse du collecteur 50A
Dissipation du collecteur 500A
Courant de base 3A
Courant inverse du collecteur de surtension 500A
Courant inverse du collecteur de surtension 500A
Température de jonction –40 à + 150 ° C
La température de stockage –40 à + 125 ° C
Tension d'isolement 2500V
Poids 660g
MODULE DE TRANSISTOR DE PUISSANCE IGBT 50A / 1000V / GTR / 6U
Shunlongwei inspecté chaque QM50TB-2HB avant expédition, tous les QM50TB-2HB avec une garantie de 6 mois.