#QM50TB-2HB Mitsubishi QM50TB-2HB Novo IGBT PODER Transistor MÓDULO 50A/1000V/GTR/6U, imagens QM50TB-2HB, preço QM50TB-2HB, fornecedor #QM50TB-2HB
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IGBT MÓDULO TRANSISTOR DE POTÊNCIA 50A/1000V/GTR/6U QM50TB-2HB
. ic Corrente do coletor …………………… .. 50A
• Coletor-emissor VCEX Voltagem ……… 1000 V
• ganho de corrente hFE DC ……………………… .. 750
Tensão base do emissor 7V
Corrente de coletor 50
Corrente reversa do coletor 50
Dissipação de coletor 500
Corrente de base 3A
Corrente reversa do coletor de surto 500
Corrente reversa do coletor de surto 500
Temperatura de junção –40 ~ + 150 ° C
Temperatura de armazenamento –40 ~ + 125 ° C
Tensão de isolamento 2500V
Peso 660g
MÓDULO IGBT TRANSISTOR DE ALIMENTAÇÃO 50A / 1000V / GTR / 6U
Shunlongwei inspecionou cada QM50TB-2HB antes do envio, todos os QM50TB-2HB com 6 meses de garantia.