onsemi finalise l'acquisition de GT Advanced Technologies

onsemi a finalisé l'acquisition de GT Advanced Technologies (GTAT), un producteur de carbure de silicium (SiC) dans une démarche qui améliore la capacité d'onsemi à sécuriser et à développer l'approvisionnement en SiC.

Les clients d'onsemi bénéficieront de l'expérience de GTAT en matière de croissance cristalline ainsi que de ses capacités techniques et de son expertise dans le développement de SiC prêts pour le wafering.

Le SiC est un composant clé des semi-conducteurs de nouvelle génération qui offrent des avantages techniques et améliorent l'efficacité du système de nombreuses applications, notamment les véhicules électriques (VE), la recharge des VE et les infrastructures énergétiques.

onsemi a déclaré qu'il avait l'intention d'étendre et d'accélérer le développement du SiC par GTAT pour assurer la fourniture de composants critiques et commercialiser davantage les technologies énergétiques intelligentes.

« Nous sommes ravis d'avoir finalisé cette acquisition, qui nous permet d'augmenter l'offre de SiC tout en menant à bien notre mission de construire un avenir durable », a déclaré Hassane El-Khoury, président-directeur général d'Onsemi. « Alors que nous nous dirigeons vers une économie sans carbone, SiC sans souci est un moteur clé pour permettre l’absence d’émissions dans les véhicules électriques à haut rendement, les énergies renouvelables et les infrastructures de recharge. En intégrant GTAT, onsemi peut désormais fournir des solutions d'alimentation de bout en bout, depuis la croissance de cristaux SiC jusqu'aux modules d'alimentation intelligents entièrement intégrés.

L'acquisition renforce l'engagement déclaré d'onsemi à réaliser des investissements substantiels dans des technologies de rupture et à forte croissance pour stimuler la différenciation et le leadership, y compris dans l'écosystème SiC.

onsemi prévoit d'investir dans l'expansion des installations de fabrication de GTAT, en soutenant les efforts de recherche et développement pour faire progresser la technologie de croissance des cristaux de SiC de 150 mm et 200 mm, tout en investissant également dans la chaîne d'approvisionnement SiC plus large, y compris la capacité Fab et l'emballage.