onsemi завершает приобретение GT Advanced Technologies

onsemi завершила сделку по приобретению GT Advanced Technologies (GTAT), производителя карбида кремния (SiC), что расширило возможности onsemi по обеспечению и увеличению поставок SiC.

Клиенты onsemi получат выгоду от опыта GTAT в выращивании кристаллов, а также от ее технических возможностей и опыта в разработке SiC, пригодного для изготовления пластин.

SiC является ключевым компонентом полупроводников следующего поколения, которые обеспечивают технические преимущества и повышают эффективность системы во многих приложениях, включая электромобили, зарядку электромобилей и энергетическую инфраструктуру.

onsemi заявила, что намеревается масштабировать и ускорять разработку GTAT SiC, чтобы обеспечить поставку критически важных компонентов и дальнейшую коммерциализацию интеллектуальных энергетических технологий.

«Мы очень рады завершению этого приобретения, которое позволяет нам увеличить поставки карбида кремния по мере выполнения нашей миссии по построению устойчивого будущего», — сказал Хассан Эль-Хури, президент и главный исполнительный директор onsemi. «По мере того, как мы переходим к безуглеродной экономике, SiC technology является ключевым фактором обеспечения нулевых выбросов в высокоэффективных электромобилях, возобновляемых источниках энергии и зарядной инфраструктуре. Интегрировав GTAT, onsemi теперь может предоставлять комплексные решения по электропитанию: от выращивания кристаллов SiC до полностью интегрированных интеллектуальных силовых модулей».

Приобретение укрепляет заявленную приверженность onsemi к осуществлению значительных инвестиций в прорывные, быстрорастущие технологии для обеспечения дифференциации и лидерства, в том числе в экосистеме SiC.

onsemi планирует инвестировать в расширение производственных мощностей GTAT, поддержку исследований и разработок по развитию технологии выращивания кристаллов SiC диаметром 150 и 200 мм, а также инвестировать в более широкую цепочку поставок SiC, включая производственные мощности и упаковку Fab.