onsemi conclui aquisição da GT Advanced Technologies
A onsemi concluiu a aquisição da GT Advanced Technologies (GTAT), produtora de carboneto de silício (SiC), em um movimento que aumenta a capacidade da onsemi de garantir e aumentar o fornecimento de SiC.
Os clientes da onsemi se beneficiarão da experiência do GTAT em crescimento cristalino, bem como de suas capacidades técnicas e expertise no desenvolvimento de SiC pronto para wafering.
O SiC é um componente chave dos semicondutores de próxima geração que fornecem benefícios técnicos e melhora a eficiência do sistema de muitas aplicações, incluindo veículos elétricos (EVs), carregamento de EVs e infraestrutura de energia.
onsemi disse que pretende dimensionar e acelerar o desenvolvimento de SiC do GTAT para garantir o fornecimento de componentes críticos e comercializar ainda mais tecnologias de energia inteligentes.
“Estamos entusiasmados por ter concluído esta aquisição, o que nos permite aumentar o fornecimento de SiC à medida que cumprimos a nossa missão de construir um futuro sustentável”, disse Hassane El-Khoury, presidente e CEO da onsemi. “À medida que avançamos para uma economia livre de carbono, o SiC tecnologia é um fator-chave para permitir emissões zero em veículos elétricos de alta eficiência, energias renováveis e infraestruturas de carregamento. Ao integrar o GTAT, a onsemi agora pode fornecer soluções de energia ponta a ponta, desde o crescimento do cristal SiC até módulos de energia inteligentes totalmente integrados.”
A aquisição reforça o compromisso declarado da onsemi de fazer investimentos substanciais em tecnologias disruptivas e de alto crescimento para impulsionar a diferenciação e a liderança, inclusive no ecossistema SiC.
A onsemi planeja investir na expansão das instalações de manufatura da GTAT, apoiando os esforços de pesquisa e desenvolvimento para avançar na tecnologia de crescimento de cristal de SiC de 150 mm e 200 mm, ao mesmo tempo que investe na cadeia de suprimentos de SiC mais ampla, incluindo capacidade e embalagem de Fab.