#SKIIP32NAB12T7 Semikron SKIIP32NAB12T7 Nouveau Semikron Module SKIIP32NAB12T7 , SKIIP32NAB12T7 photos, prix SKIIP32NAB12T7, fournisseur #SKIIP32NAB12T7
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Email: sales@shunlongwei.com
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Fonctionnalités:
• Canal N, mode d’amélioration
• Les connexions internes courtes évitent les oscillations
. également disponible avec hacheur puissant. Pour les caractéristiques, veuillez vous référer à Inverter IGBT
1) Theatsink = 25 ° C, sauf indication contraire
2) CAL = durée de vie axiale contrôlée Technologie(récupération douce et rapide)
Pour les schémas du Chopper IGBT, veuillez vous référer à SKiiP30NAB12T10
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur Tension Vces: 1200 V
Porte-émetteur Tension VGES: ± 20 V
Courant de collecteur IC: 65A
Courant de collecteur Icp: 130A
Dissipation de puissance du collecteur Pc: 180W
Collecteur-émetteur Tension VCE : 2500 V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C