#SKIIP32NAB12T7 Semikron SKIIP32NAB12T7 Nuovo Semikron Moduli SKIIP32NAB12T7, immagini SKIIP32NAB12T7, prezzo SKIIP32NAB12T7, fornitore #SKIIP32NAB12T7
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Caratteristiche
• N Channel, modalità di miglioramento
• Collegamenti interni corti evitano oscillazioni
.disponibile anche con potente chopper. Per le caratteristiche fare riferimento a Inverter IGBT
1) Theatsink = 25 ° C, se non diversamente specificato
2) CAL = Durata assiale controllata Tecnologia(recupero morbido e veloce)
Per i diagrammi dell'IGBT Chopper, consultare SKiiP30NAB12T10
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 1200V
Porta-emettitore voltaggio VGES: ± 20 V.
Corrente del collettore IC: 65A
Corrente di collettore Icp: 130A
Dissipazione potenza collettore Pc: 180W
Collettore-Emettitore voltaggio VCES: 2500 V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C