Semikron SKM400GB125D En stock

Mise à jour : 23 novembre 2023 Mots clés:IGBT

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Caractéristiques du SKM400GB125D:
Boîtier à faible inductance
Courant de queue courte avec une faible dépendance à la température
Haut court Circuit capacité, autolimitation à 6 x I cnom
Diodes CAL inverses rapides et douces
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la liaison directe du cuivre DBC Technologie
Grand jeu (13 mm) et lignes de fuite (20 mm)
Applications typiques:
Alimentations en mode commuté à «f sw»> 20 kHz
Onduleurs résonants jusqu'à 100 kHz Chauffage inductif
Electronique soudeurs à f sw > 20 kHz SKM400GB125D 
Valeurs et caractéristiques maximales 
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur Tension Vces: 1200 V
Porte-émetteur Tension VGES: ± 20 V
Courant de collecteur IC: 400A
Courant de collecteur Icp: 800A
Dissipation de puissance du collecteur Pc: 1270W
Collecteur-émetteur Tension VCE : 4000 V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
Couple de serrage de la vis de montage 3.5 * 1 N · m
Poids 325g
IGBT Tableau et module Transistor Module double canal N 400 A 3.3 V 1200 V