#SKM400GB125D Semikron SKM400GB125D Novo IGBT Variedade & Módulo Transistor Módulo Dual N Channel 400 A 3.3 V 1.2 kV, imagens SKM400GB125D, preço SKM400GB125D, fornecedor # SKM400GB125D
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Email: sales@shunlongwei.com
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Recursos do SKM400GB125D:
Caso de baixa indutância
Corrente de cauda curta com dependência de baixa temperatura
Curto alto Circuito capacidade, autolimitado a 6 x I cnom
Diodos CAL inversos rápidos e suaves
Placa de base de cobre isolada usando DBC Direct Copper Bonding Equipar
Grande folga (13 mm) e distâncias de fuga (20 mm)
Aplicações típicas:
Fontes de alimentação comutadas em  f sw Â> 20kHz
Inversores ressonantes até 100 kHz Aquecimento indutivo
Eletrônico soldadores em f sw > 20 kHz SKM400GB125D
Classificações e características máximas
. Avaliações máximas absolutas (Tc = 25 ° C, a menos que sem especificação)
Coletor-Emissor Voltagem Vces: 1200V
Emissor de porta Voltagem VGES: ± 20V
Corrente de coletor IC: 400A
Corrente do coletor Icp: 800A
Dissipação de energia do coletor Pc: 1270W
Coletor-Emissor Voltagem VCES: 4000V
Temperatura de junção operacional Tj: + 150 ° C
Temperatura de armazenamento Tstg: -40 a + 125 ° C
Torque do parafuso de montagem 3.5 * 1 N · m
peso 325g
IGBT Matriz e Módulo Transistor Módulo Dual N Channel 400 A 3.3 V 1200 V
Caso de baixa indutância
Corrente de cauda curta com dependência de baixa temperatura
Curto alto Circuito capacidade, autolimitado a 6 x I cnom
Diodos CAL inversos rápidos e suaves
Placa de base de cobre isolada usando DBC Direct Copper Bonding Equipar
Grande folga (13 mm) e distâncias de fuga (20 mm)
Aplicações típicas:
Fontes de alimentação comutadas em  f sw Â> 20kHz
Inversores ressonantes até 100 kHz Aquecimento indutivo
Eletrônico soldadores em f sw > 20 kHz SKM400GB125D
Classificações e características máximas
. Avaliações máximas absolutas (Tc = 25 ° C, a menos que sem especificação)
Coletor-Emissor Voltagem Vces: 1200V
Emissor de porta Voltagem VGES: ± 20V
Corrente de coletor IC: 400A
Corrente do coletor Icp: 800A
Dissipação de energia do coletor Pc: 1270W
Coletor-Emissor Voltagem VCES: 4000V
Temperatura de junção operacional Tj: + 150 ° C
Temperatura de armazenamento Tstg: -40 a + 125 ° C
Torque do parafuso de montagem 3.5 * 1 N · m
peso 325g
IGBT Matriz e Módulo Transistor Módulo Dual N Channel 400 A 3.3 V 1200 V