#MG150Q2YS1 Toshiba MG150Q2YS1 Nouveau TOSHIBA ger Module canal n en silicium IGBT 150A/1200V/IGBT/2U, photos MG150Q2YS1, prix MG150Q2YS1, fournisseur # MG150Q2YS1
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Email: sales@shunlongwei.com
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Description du MG150Q2YS1
Applications de commutation haute puissance Applications de contrôle moteur
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur Tension Vces: 1200 V
Porte-émetteur Tension VGES: ± 20 V
Courant de collecteur IC: 200A
Courant de collecteur Icp: 400A
Dissipation de puissance du collecteur Pc: 1250W
Tension d'isolation VIsol (CA 1 minute) : 2500 V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
Couple de serrage de la vis de montage 3/3 N · m