#MG150Q2YS1 Toshiba MG150Q2YS1 Nuovo TOSHIBA ger Moduli canale n del silicio IGBT 150A/1200V/IGBT/2U, immagini MG150Q2YS1, prezzo MG150Q2YS1, fornitore #MG150Q2YS1
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
Descrizione MG150Q2YS1
Applicazioni di controllo motori ad alta potenza
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 1200V
Porta-emettitore voltaggio VGES: ± 20 V.
Corrente del collettore IC: 200A
Corrente di collettore Icp: 400A
Dissipazione potenza collettore Pc: 1250W
Tensione di isolamento VIsol (AC 1 minuto): 2500 V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C
Coppia delle viti di montaggio 3/3 N · m