Fiches techniques :HN2S03FUPhotos de produits :6-TSSOP, SC-88, SOT-363Paquet standard :1Catégorie :Discret Semi-conducteurs Famille de produits : Diodes, redresseurs – ArraysSérie :-Emballage :Digi-Reel®Tension – Direct (Vf) (Max) @ If : 550 mV à 50 mACurrent – Fuite inverse @ Vr : 500 nA à 20 VCurrent – Moyenne redressée (Io) (par diode) : 50 mAVension – DC inverse (Vr) (Max ): 20VRois de récupération inverse (trr ):-Type de diode : SchottkyVitesse : Petit signal = HN2S03FUTE85LF Toshiba Semi-conducteurs et stockage HN2S03FUTE85LF Nouvelle gamme de DIODES INDÉPENDANTES, SOT-363, photos HN2S03FUTE85LF, prix HN2S03FUTE85LF, fournisseur # HN2S03FUTE85LF
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Numéro de pièce du fabricant : HN2S03FU(TE85L,F)
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: TOSHIBA CORP
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Toshiba Amérique Electronique Composantes
Classement de risque: 5.59
Avant Tension-Maxi (VF): 0.55 V
Température de fonctionnement-Max: 110 ° C
Température de fonctionnement-Min: -40 ° C
Puissance Dissipation-Max : 0.2 W
Rep Pk Inverse Tension-Max: 25 V
Courant inverse-max: 0.5 µA
Essai inverse Tension: 20 V
Sous-catégorie: Autres diodes
Montage en surface: OUI
TABLEAU DE DIODES INDÉPENDANTES, SOT-363
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: TOSHIBA CORP
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Toshiba Amérique Electronique Composantes
Classement de risque: 5.59
Avant Tension-Maxi (VF): 0.55 V
Température de fonctionnement-Max: 110 ° C
Température de fonctionnement-Min: -40 ° C
Puissance Dissipation-Max : 0.2 W
Rep Pk Inverse Tension-Max: 25 V
Courant inverse-max: 0.5 µA
Essai inverse Tension: 20 V
Sous-catégorie: Autres diodes
Montage en surface: OUI
TABLEAU DE DIODES INDÉPENDANTES, SOT-363