Bảng dữ liệu:HN2S03FUẢnh sản phẩm:6-TSSOP, SC-88, SOT-363Gói tiêu chuẩn:1Danh mục:Rời rạc Semiconductor Dòng sản phẩm:Điốt, Bộ chỉnh lưu – MảngDòng:-Đóng gói:Digi-Reel®Vôn – Chuyển tiếp (Vf) (Max) @ If:550mV @ 50mA Current – Rò rỉ ngược @ Vr:500nA @ 20V Current – Chỉnh lưu trung bình (Io) (mỗi Diode):50mAV Điện áp – Đảo ngược DC (Vr) (Tối đa):20VR Thời gian phục hồi ngược (trr ):-Loại điốt: SchottkyTốc độ:Tín hiệu nhỏ =HN2S03FUTE85LF Toshiba Semiconductor và Lưu trữ HN2S03FUTE85LF MẠC ĐIỐC ĐỘC LẬP MỚI,SOT-363, hình ảnh HN2S03FUTE85LF, giá HN2S03FUTE85LF, #HN2S03FUTE85LF nhà cung cấp
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: HN2S03FU(TE85L,F)
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: TOSHIBA CORP
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Toshiba Mỹ điện tử Các thành phần
Xếp hạng rủi ro: 5.59
Forward Vôn-Max (VF): 0.55 V
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 110 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Power Tản nhiệt-Tối đa: 0.2 W
Đại diện Pk Đảo ngược Vôn-Tối đa: 25 V
Dòng ngược-Max: 0.5 µA
kiểm tra ngược Vôn: 20 V
Danh mục con: Điốt khác
Gắn kết bề mặt: CÓ
Mảng ĐI-ỐC ĐỘC LẬP, SOT-363
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: TOSHIBA CORP
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Toshiba Mỹ điện tử Các thành phần
Xếp hạng rủi ro: 5.59
Forward Vôn-Max (VF): 0.55 V
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 110 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Power Tản nhiệt-Tối đa: 0.2 W
Đại diện Pk Đảo ngược Vôn-Tối đa: 25 V
Dòng ngược-Max: 0.5 µA
kiểm tra ngược Vôn: 20 V
Danh mục con: Điốt khác
Gắn kết bề mặt: CÓ
Mảng ĐI-ỐC ĐỘC LẬP, SOT-363