IRFP460LCPBF
#IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF Nouvelle puissance à effet de champ IRFP460LCPBF Transistor, 20 A I(D), 500 V, 0.27 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-247AC, CONFORME ROHS, TO-247AC, 3 BROCHES ; IRFP460LCPBF , images IRFP460LCPBF, prix IRFP460LCPBF, fournisseur #IRFP460LCPBF
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/irfp460lcpbf.html
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Numéro de pièce du fabricant : IRFP460LCPBF
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Fabricant IHS: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Code de paquet de pièce : TO-247AC
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Nombre de broches: 3
Fabricant: Vishay Intertechnologies
Classement de risque: 6.89
Caractéristique supplémentaire : ÉVALUÉ AVALANCHE
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 960 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 500 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 20 A
Courant de drain-Max (ID): 20 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.27 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JEDEC-95 : TO-247AC
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Code JESD-609: e3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Température de fonctionnement-Min: -55 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 280 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 80 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Finition du terminal: étain mat (Sn)
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-247AC, CONFORME ROHS, TO-247AC, 3 BROCHES
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Fabricant IHS: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Code de paquet de pièce : TO-247AC
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Nombre de broches: 3
Fabricant: Vishay Intertechnologies
Classement de risque: 6.89
Caractéristique supplémentaire : ÉVALUÉ AVALANCHE
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 960 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 500 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 20 A
Courant de drain-Max (ID): 20 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.27 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JEDEC-95 : TO-247AC
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Code JESD-609: e3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Température de fonctionnement-Min: -55 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 280 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 80 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Finition du terminal: étain mat (Sn)
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-247AC, CONFORME ROHS, TO-247AC, 3 BROCHES
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