IRFP460LCPBF
#IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF Hiệu ứng trường điện IRFP460LCPBF mới Transistor, 20A I (D), 500V, 0.27ohm, 1 phần tử, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, TO-247AC, 3 PIN; IRFP460LCPBF, hình ảnh IRFP460LCPBF, giá IRFP460LCPBF, nhà cung cấp # IRFP460LCPBF
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/irfp460lcpbf.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: IRFP460LCPBF
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Không được khuyến nghị
Nhà sản xuất Ihs: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Mã phần gói: TO-247AC
Mô tả gói hàng: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Số lượng pin: 3
Nhà sản xuất: Vishay Intertechnologies
Xếp hạng rủi ro: 6.89
Tính năng bổ sung: AVALANCHE RATED
Đánh giá năng lượng của Avalanche (Eas): 960 mJ
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 500 V
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 20 A
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 20 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.27 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JEDEC-95: TO-247AC
Mã JESD-30: R-PSFM-T3
Mã JESD-609: e3
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: FLANGE MOUNT
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 280 W
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 80 A
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Kết thúc đầu cuối: Matte Tin (Sn)
Dạng đầu cuối: THROUGH-HOLE
Vị trí đầu cuối: SINGLE
Thời gian
Bóng bán dẫn hiệu ứng trường điện, 20A I (D), 500V, 0.27ohm, 1 phần tử, kênh N, silicon, oxit kim loại Semiconductor FET, TO-247AC, TUÂN THỦ ROHS, TO-247AC, 3 PIN
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Không được khuyến nghị
Nhà sản xuất Ihs: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Mã phần gói: TO-247AC
Mô tả gói hàng: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Số lượng pin: 3
Nhà sản xuất: Vishay Intertechnologies
Xếp hạng rủi ro: 6.89
Tính năng bổ sung: AVALANCHE RATED
Đánh giá năng lượng của Avalanche (Eas): 960 mJ
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 500 V
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 20 A
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 20 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.27 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JEDEC-95: TO-247AC
Mã JESD-30: R-PSFM-T3
Mã JESD-609: e3
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: FLANGE MOUNT
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 280 W
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 80 A
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Kết thúc đầu cuối: Matte Tin (Sn)
Dạng đầu cuối: THROUGH-HOLE
Vị trí đầu cuối: SINGLE
Thời gian
Bóng bán dẫn hiệu ứng trường điện, 20A I (D), 500V, 0.27ohm, 1 phần tử, kênh N, silicon, oxit kim loại Semiconductor FET, TO-247AC, TUÂN THỦ ROHS, TO-247AC, 3 PIN
« S4006DS2TP MBR300100CT »