#CM2400HC-34N Mitsubishi CM2400HC-34N Baru Versi 4 HVIGBT (Tinggi tegangan Bipolar Gerbang Terisolasi Transistor) Modul, gambar CM2400HC-34N, harga CM2400HC-34N, pemasok #CM2400HC-34N
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
CM2400HC-34N
IC ……………………………………………………………….2400A
VCES ……………………………………………….1700V
Jenis Terisolasi
1-elemen dalam satu Paket
Pelat Dasar AISiC
Gerbang Parit IGBT : CSTBT™
Dioda Pemulihan Terbalik Lembut
IC ……………………………………………………………….2400A
VCES ……………………………………………….1700V
Jenis Terisolasi
1-elemen dalam satu Paket
Pelat Dasar AISiC
Gerbang Parit IGBT : CSTBT™
Dioda Pemulihan Terbalik Lembut
Peringkat dan karakteristik maksimum
Peringkat maksimum absolut (Tc = 25 ° C kecuali tanpa ditentukan)
Kolektor-Emitor tegangan Vces: 1700V
Tegangan Gate-Emitter VGES: ± 20V
Arus kolektor IC: 2400A
Icp arus kolektor: 4800A
Disipasi daya kolektor Pc: 13100W
Tegangan Collector-Emitter VCES: 4000V
Suhu persimpangan operasi Tj: + 150 ° C
Suhu penyimpanan Tstg: -40 hingga + 125 ° C
Torsi sekrup pemasangan 3.5 * 1 N · m
Modul HVIGBT (Transistor Bipolar Gerbang Berinsulasi Tegangan Tinggi) Versi 4