#CM2400HC-34N Mitsubishi CM2400HC-34N Nuova 4a versione HVIGBT (Alta voltaggio Cancello isolato bipolare Transistor) Moduli, immagini CM2400HC-34N, prezzo CM2400HC-34N, fornitore #CM2400HC-34N
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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CM2400HC-34N
IC ……………………………………….2400A
VCES ………………………………………….1700V
Tipo isolato
1 elemento in un pacchetto
Piastra di base AISiC
Porta della trincea IGBT : CSTBT™
Diodo di recupero inverso morbido
IC ……………………………………….2400A
VCES ………………………………………….1700V
Tipo isolato
1 elemento in un pacchetto
Piastra di base AISiC
Porta della trincea IGBT : CSTBT™
Diodo di recupero inverso morbido
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 1700V
Tensione Gate-Emitter VGES: ± 20V
Corrente del collettore IC: 2400A
Corrente di collettore Icp: 4800A
Dissipazione potenza collettore Pc: 13100W
Tensione collettore-emettitore VCES: 4000V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C
Coppia delle viti di montaggio 3.5 * 1 N · m
Moduli HVIGBT (transistor bipolare con gate isolato ad alta tensione) di quarta versione