#CM2400HC-34N Mitsubishi CM2400HC-34N Nouvelle 4ème version HVIGBT (Haute Tension Porte Isolée Bipolaire Transistor) Modules, images CM2400HC-34N, prix CM2400HC-34N, fournisseur #CM2400HC-34N
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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CM2400HC-34N
IC ……………………………………………………….2400A
VCES ……………………………………………….1700V
Type isolé
1 élément dans un pack
Embase AISiC
Porte de tranchée IGBT : CSTBT™
Diode de récupération inverse douce
IC ……………………………………………………….2400A
VCES ……………………………………………….1700V
Type isolé
1 élément dans un pack
Embase AISiC
Porte de tranchée IGBT : CSTBT™
Diode de récupération inverse douce
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur Tension Vces: 1700 V
Tension de grille-émetteur VGES: ± 20V
Courant de collecteur IC: 2400A
Courant de collecteur Icp: 4800A
Dissipation de puissance du collecteur Pc: 13100W
Tension collecteur-émetteur VCES: 4000V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
Couple de serrage de la vis de montage 3.5 * 1 N · m
Modules HVIGBT (transistor bipolaire à grille isolée haute tension) de 4e version